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(서울=연합뉴스) 이광철 기자 = 하이닉스반도체는 전력 소모를 기존 제품 대비 30%가량 줄인 54나노급(1나노는 10억분의 1m) 1기가비트(Gb) DDR3 D램을 개발해 양산에 들어갔다고 12일 밝혔다.

1Gb DDR3 D램은 현재 DDR3 시장의 약 87%를 차지하는 차세대 반도체다.신제품은 회로를 최적화하고 내부 신호 처리에 새로운 방법을 적용해 기존 동작전압인 1.5V를 유지하면서 전력 소모는 30% 줄인 게 특징이다.

하이닉스 관계자는 "DDR3 시장 주력제품인 1Gb DDR3에서 최고 성능을 확보함에 따라 저전력 제품을 원하는 고객 수요에 맞춰 시장을 주도할 수 있을 것으로 기대하고 있다"고 말했다.

하이닉스는 미국 내 모든 서버에 이 제품을 장착할 경우 연간 약 6억 달러의 에너지 비용을 절감해 150만 그루의 나무를 심는 것과 같은 환경보호 효과를 기대할 수 있다고 설명했다.

시장조사기관 아이서플라이에 따르면 1Gb DDR3 D램은 2Gb DDR3 제품 비중이 전체 DDR3 D램 시장의 절반 이상을 차지하는 2011년까지는 주력 제품의 지위를 누릴 것으로 예상되고 있다.

하이닉스는 올 4분기 중 양산할 예정인 44나노급 2Gb DDR3 제품은 물론, 앞으로 개발하는 모든 제품에 1Gb DDR3 신제품에 적용한 저전력 설계 기술을 적용할 계획이다.

하이닉스는 또 연말까지 전체 D램 생산량에서 DDR3의 비중을 50% 이상으로 확대하는 한편 고부가가치 제품군의 공급을 늘릴 예정이다.

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