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[양태훈기자] 인텔이 20일(현지시간) 중국 동북구 다롄에 위치한 반도체 조립 공장에 오는 2020년까지 총 55억 달러(한화 6조 2천128억 원) 규모의 투자를 집행, 해당 공장에서 비휘발성 메모리 칩셋 생산에 돌입할 계획이라고 발표했다.

인텔의 이 같은 투자계획은 사물인터넷(IoT) 등 빅데이터 솔루션을 활용하는 비즈니스 영역이 확대되며, 대용량 데이터를 보다 빠르게 처리할 수 있는 낸드플래시 메모리에 대한 수요가 급증하는 까닭이다.

관련 업계에서는 인텔이 앞서 마이크론과 협력해 개발을 완료한 차세대 비휘발성 메모리 '3차원(3D) 크로스포인트'를 차후 다롄 공장에서 양산할 가능성에 주목하고 있다.

당초 인텔은 미국 유타주에 위치한 인텔·마이크론 팹(Fab)에서 오는 2016년부터 3D 크로스포인트 양산에 돌입할 계획이라고 밝힌 바 있지만, 다롄 공장을 생산라인으로 추가 활용할 가능성도 존재하기 때문.

업계 한 관계자는 "인텔이 중국 내 라인을 전환하는 경우, 비용절감과 정부 지원도 기대할 수 있다"며, "이는 중국의 낸드플래시 수요가 높고, 주요 고객사가 대거 위치한 만큼 다렌 공장에서 3D 크로스포인트를 생산하면 여러 이점이 존재하기 때문"이라고 설명했다.

한편, 3D 크로스포인트는 기존 낸드플래시 메모리 대비 1천배 빠른 속도와 높은 내구성을 제공, 전원을 꺼도 데이터가 사라지지 않는 비휘발성을 제공하는 차세대 낸드플래시 메모리다.

양태훈기자 flame@inews24.com

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